자유자재로 휘는 차세대 반도체 메모리의 성능을 손쉽게 2배 이상 높일 수 있는 기술이 개발됐다.
교육과학기술부와 한국연구재단은 박철민 연세대 교수가 차세대 강유전체 메모리에 가하는 전압을 조절해 셀당 4가지 이상의 정보를 담는데 성공했다고 3일 밝혔다.
강유전체 메모리는 속도가 빠르고 정보가 지워지지 않아 차세대 반도체로 주목받고 있다.
연구팀은 전압의 크기를 변화시켜 강유전체 고분자의 분극(전기 양극)을 조절할 수 있다는 사실을 규명하고 이 원리를 이용해 유연한 멀티레벨 반도체의 성능을 높였다.
멀티레벨 반도체는 2개 상태만 기록(정보량 1비트)하는 고분자 메모리와 달리 4가지(정보량 2비트) 이상의 상태를 기억한다.
이 기술은 기존 공정보다 간단하고 가격도 저렴해 유연한 메모리의 상용화 가능성을 높일 전망이다.
박 교수는 “이번 연구는 전압으로 강유전체 고분자의 분극을 부분적으로 조절할 수 있다는 사실을 처음으로 규명하고 이 현상을 실제 메모리 소자에 적용해 전 세계 선진기업에서 주목하고 있는 유연한 고분자 메모리 소자의 집적도를 높이는 원천기술을 확보했다는 점에서 의미가 크다”고 말했다.
-아주경제 권석림 기자
